氮化镓
GaN（氮化镓、Gallium nitride）与硅相比，带隙比硅宽约3倍（3.42eV），绝缘击穿电压也有着约是硅10倍（3.0MV/cm）的特性。和硅相同，将导通电阻下降到10mΩ・cm2时，耐电压达到1600V。
另外，能够产生蓝色和绿色等比较短的波长的光，在各种光器件中也被使用，与SiC一起作为下一代功率半导体器件被寄予期待。
与SiC相比，导热率是SiC这边高出约3倍，除此之外的物性数据(带隙，电子迁移率，击穿电压，饱和漂移速度)都是GaN高出10%左右。
因此，在高温工作环境中，SiC有一定的优势，但是在功率转换容量和工作频率较高的区域中，可以说GaN更有利。
GaN Wafer 规格
GaN 自立基板 Free-Standing GaN Substrates
| Grade | Production（A-grade） | Research（B-grade） | Dummy（C-grade） |
| Diamater | Φ2inch | ||
| Thickness | 350,400±30μm | ||
| Surface roughness (Ra) | Ga face：≦0.3nm (Epi-polised) | ||
| N face ： 0.5-1.5μm , <0.2nm(Option) | |||
| Orientation | C-plane(0001) off angle toward M , A-axis | ||
| Resistivity(300K) | N-type Undoped：<0.5Ω･cm | ||
| N-type Si-doped：<0.05Ω･cm | |||
| Semi-insulating Fe-doped：1×106Ω･cm | |||
| Usable area | >90% | >80% | >70% |
| Dislocation Density | <9.9×105cm-2 | <3×106cm-2 | |
GaN Templates
・ GaN on Sapphire（up to 6inch）
・ GaN on Si（up to 8inch）
・ GaN on SiC（up to 6inch）
・ GaN on GaN
| Substrate structure | GaN on Sapphire(0001) | |
| Diameter(inch) | 2，4，6 | |
| Epi layerThickness(μm) | 4.5±0.5 , Customized | |
| Conduction Type | N-type(Undoped,Si-doped) P-type(Mg-doped) | |
| Resistivity(300K) | <0.5Ω･cm | |
| Dislocation Density | < 5×108cm-2 | |
| Usable Surface Area | >90% | |
| Substrate structure | GaN on Si | |
| Diameter(inch) | 4，6，8 | |
| Epi layerThickness(μm) | 4.5±0.5 , Customized | |
| Surface | RMS:<0.5nm in 5X5μm2 | |
| Barrier | AlGaN or AlN or InAlN | |
| Cap layer | In-situ SiN or GaN | |
AlN Tempates
| Substrate structure | AlN on Sapphire , SiC , GaN | |
| Diameter(inch) | 2,4,6 | |
| Epi layerThickness(nm) | 10～5000(±10%) | |
| Orientation | C-plane(0001)±1° | |
| Conduction Type | Semi-insulating | |
| Dislocation Density | XRD FWHM of (0002) <500arcsec | |
| XRD FWHM of (10-12) <1500arcsec | ||
| Usable Surface Area | >80% | |
